我國半導體制造核心技術(shù)突破 僅次于光刻的重要環(huán)節(jié)打破國外壟斷
發(fā)布時間:2024-09-10麥斯克電子材料股份有限公司點擊:280
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據(jù)國家電力投資集團有限公司(以下簡稱“國家電投”)9月10日消息,近日,國家電投所屬國電投核力創(chuàng)芯(無錫)科技有限公司(以下簡稱“核力創(chuàng)芯”)暨國家原子能機構(gòu)核技術(shù)(功率芯片質(zhì)子輻照)研發(fā)中心,完成首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶交付。
國家電投表示,這標志著我國已全面掌握功率半導體高能氫離子注入核心技術(shù)和工藝,補全了我國半導體產(chǎn)業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán),為半導體離子注入設備和工藝的全面國產(chǎn)化奠定了基礎。
據(jù)國家電投介紹,氫離子注入是半導體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節(jié),在集成電路、功率半導體、第三代半導體等多種類型半導體產(chǎn)品制造過程中起著關(guān)鍵作用,該領(lǐng)域核心技術(shù)及裝備工藝的缺失嚴重制約了我國半導體產(chǎn)業(yè)的高端化發(fā)展,特別是600V以上高壓功率芯片長期依賴進口。核力創(chuàng)芯的技術(shù)突破,打破了國外壟斷。
核力創(chuàng)芯在遭遇外國關(guān)鍵技術(shù)及裝備封鎖的不利條件下,堅持自力更生,自主創(chuàng)新,打造新質(zhì)生產(chǎn)力,在不到三年的時間里,突破多項關(guān)鍵技術(shù)壁壘,實現(xiàn)了100%自主技術(shù)和100%裝備國產(chǎn)化,建成了我國首個核技術(shù)應用和半導體領(lǐng)域交叉學科研發(fā)平臺。首批交付的芯片產(chǎn)品經(jīng)歷了累計近萬小時的工藝及可靠性測試驗證,主要技術(shù)指標達到國際先進水平,獲得用戶高度評價。
來源:國家電投